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PSMN012-60YS,115  与  BSC100N06LS3 G  区别

型号 PSMN012-60YS,115 BSC100N06LS3 G
唯样编号 A-PSMN012-60YS,115 A-BSC100N06LS3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8mΩ
上升时间 - 58ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 89W 50W
Qg-栅极电荷 - 45nC
输出电容 245pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 32S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 59A 50A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 1685pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 11.1mΩ@10V -
下降时间 - 8ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 4,507 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
380+ :  ¥3.5137
750+ :  ¥2.8801
1,500+ :  ¥2.6423
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN012-60YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-60YS_SOT669 N-Channel 89W 175℃ 3V 60V 59A

¥3.5137 

阶梯数 价格
380: ¥3.5137
750: ¥2.8801
1,500: ¥2.6423
4,507 当前型号
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC100N06LS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC110N06NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC110N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC110N06NS3GATMA1_60V 50A 9mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC100N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC100N06LS3GATMA1_60V 50A 7.8mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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